Вступить в каталог
КОД ПРОДУКЦИИ ПО ТН ВЭД ЕАЭС
854290
Части электронных интегральных схем
Электронные интегральные схемы
Описание
Доступны микросхемы памяти с плотностью записи от 1 до 4Мбит, скоростью считывания 35нс и записи 35/90/120/150нс. Срок работы микросхем MRAM составляет до 20 лет.